SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分?jǐn)?shù) x 接近 0.30）

SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分?jǐn)?shù) x 接近 0.30）

       本標(biāo)準(zhǔn)參考物質(zhì)（SRM）旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，如電子探針分析（EMPA）、光致發(fā)光（PL）、俄歇電子能譜（AES）和X射線光電子能譜（XPS）。SRM 2842的單元由AlxGa1-xAs的外延層組成，該外延層通過使用膠帶在安裝到不銹鋼盤上的砷化鎵（GaAs）襯底上生長，具有經(jīng)認(rèn)證的Al摩爾分?jǐn)?shù)x。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ね鈿ぶ小RM作為比較標(biāo)準(zhǔn)的正確使用取決于分析方法（見“測量條件和程序"和NIST特別出版物260-163[1]）。

SRM Number（貨號(hào)）：SRM 2842

Description：Semiconductor Thin Film: AlxGa1-xAs Epitaxial Layers (Al mole fraction x near 0.30)

描述：半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分?jǐn)?shù) x 接近 0.30）

Unit of Issue（產(chǎn)品規(guī)格）：disk

SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs 外延層（Al 摩爾分?jǐn)?shù) x 接近 0.30）

       儲(chǔ)存和處理：AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但在儲(chǔ)存和處理過程中，薄膜會(huì)受到表面污染和氧化。SRM應(yīng)儲(chǔ)存在無塵的氮?dú)猸h(huán)境中或溫度低于50°C的真空環(huán)境中。為了運(yùn)輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用而偶然暴露于空氣中，直到這種暴露超過數(shù)千小時(shí)，才發(fā)現(xiàn)會(huì)產(chǎn)生顯著污染。SRM應(yīng)由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不要接觸半導(dǎo)體區(qū)域。半導(dǎo)體表面的顆粒污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認(rèn)沒有引入額外的污染。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機(jī)溶劑，使用這些溶劑可能導(dǎo)致粘合劑或膠帶顆粒遷移到樣品表面。應(yīng)將試樣表面的邊緣排除在分析之外。

部分NIST標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)產(chǎn)品目錄（僅列舉小部分）：